【摘要】
本發明提供一種介電常數低并且機械強度大的絕緣膜。由含有二氧化硅衍生物與表面活性劑的前體溶液形成周期性的自聚體。之后,將表面活性劑通過完全熱分解除去,從而形成具備含有以與基板表面平行的方式取向的層狀或圓柱狀的空孔的周期性多孔結構的無機絕緣膜。
【主權項】
1.一種半導體裝置,其特征在于,含有形成于基板表面上,且空孔率50%以上的無機絕緣膜。
本發明提供一種介電常數低并且機械強度大的絕緣膜。由含有二氧化硅衍生物與表面活性劑的前體溶液形成周期性的自聚體。之后,將表面活性劑通過完全熱分解除去,從而形成具備含有以與基板表面平行的方式取向的層狀或圓柱狀的空孔的周期性多孔結構的無機絕緣膜。
【主權項】
1.一種半導體裝置,其特征在于,含有形成于基板表面上,且空孔率50%以上的無機絕緣膜。




