青蒿素的過氧橋鍵是其抗瘧作用的關鍵部位。采用循環伏安法研究了谷胱甘肽、表面活性劑共存體系對青蒿素過氧鍵穩定性的影響。實驗表明，當青蒿素濃度為1．0 mmol／L，谷胱甘肽濃度≥2．0×10-5 mol／L時，加入陽離子表面活性劑(1．0×10-5 mol／L，DBDAB)，在體系中形成了谷胱甘肽一青蒿紊-DBDAB三元加合物，該加合物在一0．88 V電位下還原，其還原峰電位比游離青蒿索的還原峰電位負移了240 mV，其還原反應活化能升高了46．3 kJ／moL，使青蒿素的過氧鍵更趨穩定；而陰離子表面活性劑對體系沒有影響。進一步探討了該三元加合物形成的電極機理。
