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高比表面積花狀氫氧化銦粉體的制備方法.pdf

放大字體  縮小字體 發布日期:2009-09-07  瀏覽次數:722
核心提示:高比表面積花狀氫氧化銦粉體的制備方法.pdf

本發明涉及高比表面積花狀氫氧化銦的制備方法,屬于無機材料制備工藝技術領域。以In3+的水溶性鹽為銦源,尿素為堿源,十二烷基硫酸鈉為表面活性劑,采用水熱法制備氫氧化銦粉體。在90-105 低溫水熱條件下恒溫反應12-24h,冷卻至室溫后過濾得到沉淀,洗滌,離心沉淀,烘干即得到由納米片層組裝而成的花狀高比表面積花狀氫氧化銦粉體。本發明的優點在于:本發明采用低溫水熱法制備花狀氫氧化銦,不僅能使晶體在非受限的條件下充分生長,具有比表面積高,晶體形貌、大小可控,結晶完好等優點,而且獲得的粉體的比表面積在20-40m2/gXRD衍射表明主晶相為In(OH)3且沿[100]方向擇優取向生長,雜相為InOOH且含量全部小于12%。該體系在微電子、光電、敏感器件、催化劑、堿性電池等領域擁有良好的應用前景。

高比表面積花狀氫氧化銦粉體的制備方法.pdf
 

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關鍵詞: 氧化銦粉體
 
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